【方正電新申建國(guó)團(tuán)隊(duì)】申建國(guó)/于化鵬/何茜 本篇報(bào)告發(fā)布于2017.9.8 附：（隔膜行業(yè)深度之一、二鏈接見文尾） 濕法隔膜涂覆可提升隔膜的熱穩(wěn)定性、改善其

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硅晶棒再經(jīng)過研磨,拋光,切片后,即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片,這是"晶圓 干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來形成作為

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MEMS濕法腐蝕工藝和過程David Burns摘要：通過光刻膠或硬掩膜窗口進(jìn)行 均勻的襯底去除和減薄一般由 帶有化學(xué)腐蝕液的物理研磨機(jī)制實(shí)現(xiàn),即化學(xué)機(jī)械過程快速

用各種超微粉碎機(jī)將原料直接研磨粉碎成超微粉?？刹捎酶煞ㄑ心セ蛘邼穹ㄑ心?三星召開"晶圓代工論壇" 提出3納米芯片工藝 Prev Next 發(fā)表評(píng)論 取消回復(fù) 您的電子

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SM系列濕法超細(xì)研磨 、分散機(jī),可以得到比其他機(jī)型更細(xì)更窄的粒度分布,能夠連續(xù)處理大量的漿料,還可在研磨過程中隨時(shí)向預(yù)混缸內(nèi)加入物料組份,漿料經(jīng)過研磨室的

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南通華林科納CSE多年來一直專注于半導(dǎo)體濕法清洗工藝解決方案,其硅片清洗機(jī)、刻蝕機(jī)、單片清洗機(jī)、電鍍?cè)O(shè)備、CDS供液系統(tǒng)、IPA干燥系統(tǒng)等設(shè)備被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體

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在硅表面形成淺槽；（f）剝離光阻材料后,用CVD在晶片表面形成SiO2厚膜；（g）利用化學(xué)機(jī)械研磨,去除二氧化硅層,只在硅表面 蝕刻法和用藥液的濕法 刻蝕

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